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随着开关电源芯片用量越来越多，技术方面也日趋成熟。同时随着对成本要求越来越高，技术质量和价格的平衡需要满足。如何寻找低成本、高效率的开关电源芯片？不妨来看看深圳银联宝科技的这颗开关电源芯片U6113！

开关电源芯片U6113在同一块晶元上同时集成了高压功率MOSFET和控制器。U6113内部高度集成的高精度恒流控制电路和完备的保护功能使其适用于LED照明的应用中，是带有准谐振式的降压型功率开关器。在40V LED输出电压下，175~265VAC：120mA、85~265VAC：100mA；在60V LED输出电压下：175~265VAC：100mA、85~265VAC：90mA。

·5.8V 稳压器

在开关电源芯片U6113芯片内部，只要当内部高压MOSFET关断时，5.8V的稳压器就会从芯片的Drain管脚端抽取一定的电流给VDD电容充电至5.8V；再当内部高压MOSFET导通的时候，5.8V稳压器则停止工作而芯片靠VDD电容提供供电以正常运行。由于芯片的工作电流超低，所以利用从芯片Drain管脚抽取的电流足以使其连续稳定地工作。通常情况下，建议使用1uF的VDD电容用以滤除高频噪声和作为芯片供电。

·电流过零检测（无需辅助绕组）

为了保证系统工作在准谐振模式下，开关电源芯片U6113利用检测流经内部高压MOSFET漏极和门极间寄生的米勒电容Crss的电流实现电流过零点的检测。当电感电流续流到零后，电感和高压MOSFET的输出电容开始谐振过程。此过程中MOSFET的Drain端电压开始下降 ，同时会有一由地到MOSFET Drain端的负向电流流经Crss电容。反之，当MOFET关断Drain端电压上升时，会有一正向电流流经Crss电容。

·逐周期电流限制和前沿消隐

开关电源芯片U6113CS管脚作为芯片的参考地，同时也用来检测电感电流峰值。当MOSFET 导通时，VDD管脚和CS管脚之间的差分电压开始下降，当此差分电压大于峰值电流基准 500mV时MOSFET关断。为了避免MOSFET导通瞬间的噪声引起错误检测，芯片设计有典型值为500ns的前沿消隐时间，在此时间内逐周期电流限制比较器停止工作且MOSFET不允许关断。

开关电源芯片U6113设计的软驱动结构的驱动电路优化了系统的EMI性能，工作电流典型值为140uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求，同时也可以帮助系统获得更高的效率。可靠的性能，加上低成本，是一颗值得考虑的优质开关电源芯片！

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