日前，功率半导体细分领域龙头锴威特正式上市，A股国产功率半导体赛道再添一员。

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根据招股书，锴威特坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，凭借产品可靠性高、参数一致性好等特点，锴威特迅速在细分领域打开市场，产品广泛应用于高可靠、工业控制及消费电子领域。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；在工业控制领域，公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，细分品类的产品研发及市场开拓取得良好成效。

功率半导体行业的细分赛道龙头

根据招股书，锴威特深耕功率半导体市场多年，目前已在功率IC及功率分立器件领域皆构建了宽广的竞争护城河。

功率半导体，是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等，应用领域非常广泛。其中，锴威特核心布局的高压MOSFET赛道，是功率半导体市场中最具备发展潜力的核心细分市场之一。

一方面，高压MOSFET更强的功能性决定了其具备更广阔的市场前景。区别于中低压MOSFET，高压MOSFET指的是400V以上MOSFET产品。伴随着新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电机、5G基站电源及通信电源等下游需求旺盛，高压MOSFET迎来爆发式的终端需求。

另一方面，高压MOSFET具备巨大的进口替代空间。

当前，我国对中低端功率分立器件的相关技术已经实现了较大的突破，在功率二极管、功率三极管、晶闸管、中低压MOSFET领域取得了很大的成功。但是，高压MOSFET、IGBT等高端分立器件等领域技术门槛更高、工艺复杂性更强，因此我国整体产业技术水平仍与全球领先水平的仍存在较大差距。

根据财通证券的数据，高压平面MOSFET市场依然由英飞凌、安森美、意法半导体等国际龙头主导。2021年该产品的整体国产化率不到30%，低于中低压平面(400V以下)MOSFET的国产化率为42.2%。

锴威特拥有领先技术，是该领域的细分市场龙头。锴威特的平面MOSFET工艺平台已经实现了40-1500V的电压段覆盖，凭借产品可靠性高、参数一致性好等优势快速打开市场。其中，公司设计研发了FRMOS(快恢复高压功率MOSFET)产品，并取得了较大的成功。在国内厂商中，以2021年的销售额计，锴威特在FRMOS市场排名第四，仅次于华润微、士兰微、华微电子(数据来源：江苏省半导体行业协会)。

不难看出，由于较强的技术与产品优势，公司一举抓住国产替代的黄金机遇，并跃升为具备较大行业影响力的玩家。

SiC与高可靠领域的发展值得期待

值得一提的是，在领先的技术平台的基础上，公司在SiC功率器件方面实现了较大突破。目前，锴威特已攻克SiC功率器件技术，是国内少数覆盖650V-1700V SiC功率器件产品设计的企业之一。

半导体材料的发展是半导体芯片演进的主要路线之一。第一代为硅(Si)，锗(Ge)为代表，第二代为化合物半导体材料，目前半导体材料已发展到第三代，即以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。对比一二代材料，第三代半导体具有高击穿电压、高功率密度、耐高温、高频工作等优势，是功率半导体的未来。Yole预计SiC功率器件市场规模将于2025年将增长至44.67亿美元，五年的平均复合年增长率高达43.62%。

当前，随着技术正在走向奇点，SiC功率器件正迈向大规模产业化的新阶段。技术的奇点，由行业龙头共同推动。以锴威特为例，公司不仅已顺利地实现对SiC功率器件的产品布局，还正在进入产业化阶段。本次上市后，锴威特有望进一步推动国产SiC功率器件的量产。根据招股书，锴威特计划将一部分募集资金投入于SiC功率器件研发升级项目中，包括用于650V-1700V SiC MOSFET、650V-1700V SiC SBD工艺优化、器件升级及SiC功率模块的规模化量产。

此外，锴威特在高可靠领域亦取得较为可观的成果。

“高可靠”这一领域往往遭到投资者的误解。不少人认为“高可靠”指的是产品品质可靠，发生故障少。但事实上，高可靠领域的技术要求比上述的理解高得多——高可靠性领域要求半导体器件能够在各种极端条件下保持可靠的性能，对器件的能耗、结温、寿命、抗辐射、抗干扰等方面的要求是显著超前的。

消费电子领域竞争壁垒较低，竞争较为激烈，拼价格是常态。而高可靠性产品是无法被普通产品替代的。因此，在该领域，只有少数具有足够技术实力和资源的企业能够成功进入市场。在良好的竞争格局下，锴威特为代表的领先玩家有望能持续领跑，实现强者恒强。

展望未来，公司能否无惧逆风，走出靓丽的风景线？

可以拭目以待。

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